嵩山芯片

系统整体部分

工艺制程

55 nm

工作电压

1.2 V

时钟频率

200 MHz

总面积

9.8 mm²

数字存算一体（DCIM）部分

SRAM阵列大小

64 KB

面积

2.8 mm²

输入精度

4/8/12/16 bit

权重精度

4/8/12/16 bit

能效（4bit）

66.3 TOPS/W

能效（8bit）

16.8 TOPS/W

面效（4bit）

0.288 TOPS/mm²

面效（8bit）

0.072 TOPS/mm²

RSIC-V部分

数据存储器（DLM）大小

64KB

指令存储器（ILM）大小

64KB

扩展指令数

5

流水线阶数

3